作者：默思編輯部 發布：2026-09-22
中國記憶體晶片廠長鑫存儲（CXMT）於2026年9月宣布，已開始量產採用11.95奈米製程的第五代DRAM晶片，這是中國記憶體產業自主化進程中的又一重要里程碑，且時機恰好落在全球記憶體供應鏈因AI基礎設施建設熱潮而持續吃緊的背景之下。
DRAM製程節點愈小，代表能在同樣的晶片面積內封裝更多儲存單元，進而提升單顆晶片的儲存密度、降低單位容量的生產成本，同時通常也能帶來更佳的能源效率表現。CXMT此次宣布量產11.95奈米製程，代表其技術能力已經逼近全球記憶體大廠（三星、SK海力士、美光）目前主流量產製程的水準，這對長期被視為技術落後國際一線大廠一至兩個世代的中國記憶體產業而言，是相當顯著的技術追趕成果。
這項量產進展公布的時間點相當微妙——正值三大國際記憶體廠三星、SK海力士、美光均表示其產能已銷售一空、難以應付AI伺服器爆炸性成長的需求，甚至簽下延伸至2031年的長期供貨合約之際。在這種全球記憶體供應嚴重吃緊的市場環境下，CXMT具備量產先進製程DRAM的能力，某種程度上讓中國國內的伺服器與電子設備製造商，多了一個相對不受國際供應鏈緊張情勢直接衝擊的本土供應選項。
在美國持續收緊對中國高階晶片與相關製造設備出口管制的背景下，記憶體晶片的自主供應能力，對中國發展本土AI產業具有特殊的戰略意義——即使中國在AI晶片運算核心（如GPU、AI加速器）的自主化進程上，仍受制於先進製程設備取得的限制，記憶體晶片作為AI伺服器不可或缺的另一項關鍵零組件，若能實現高比例的本土自主供應，至少能在整體AI基礎設施建設的供應鏈韌性上，降低對外部供應商的依賴程度。
CXMT持續擴大先進製程DRAM的量產能力，某種程度上也會對全球記憶體市場的競爭格局帶來壓力——隨著中國本土產能的持續擴張，國際記憶體大廠原本在中國市場享有的主導地位，可能面臨愈來愈直接的本土競爭者挑戰，這對全球記憶體價格走勢與產能配置策略，都可能帶來中長期的結構性影響。
對於從事半導體產業分析、AI基礎設施採購規劃相關工作的從業者而言，CXMT這類技術追趕案例的持續累積，代表全球記憶體供應鏈的地緣政治複雜度正持續升高——在規劃AI伺服器與相關基礎設施的長期採購策略時，除了關注傳統的產能與價格因素，中國本土記憶體產業的技術進展速度，也逐漸成為需要納入考量的重要變數。
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